國產碳化硅二極管選型表 600V & 1200V
162樣品申請詢價技術咨詢在線咨詢 相比于硅材料,碳化硅材料的帶隙約是硅材料的三倍;單位面積阻隔電壓的能力(擊穿場強)約是硅的7倍;熱導率方面是硅的3倍之多(功率器件運行時不可避免地有損耗,產生熱量,能夠...
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樣品申請詢價技術咨詢在線咨詢 相比于硅材料,碳化硅材料的帶隙約是硅材料的三倍;單位面積阻隔電壓的能力(擊穿場強)約是硅的7倍;熱導率方面是硅的3倍之多(功率器件運行時不可避免地有損耗,產生熱量,能夠...
查看全文π1xxxxxR是榮湃半導體推出的具有電氣隔離功能的多通道數字光耦產品,相比光耦和普通數字隔離器具有工作電壓范圍更廣、兼容性更強、面積更小、可靠性更高等優點。 Part Number Total Channel Amount Rever...
查看全文榮湃半導體數字隔離器π1xxx1x系列產品采用業界非常小的QFN封裝,可實現1.5kVrms隔離耐壓等級和高至200Mbps的兩通道內信號傳輸。 Part Number Total Channel Amount Reverse Max Data Rate Fail-safe...
查看全文基于榮湃半導體獨有的iDivider技術和成熟的標準半導體CMOS工藝,π1xxxxx系列數字隔離器具有出色的性能特征和可靠性,整體性能優于光耦和基于其他原理的數字隔離器產品。 Part Number Total Channel Amount...
查看全文產品型號 封裝 應用拓撲 工作模式 VDD范圍 檢測腳最大耐壓 最大工作頻率 內置MOS Rdson(Ω) 內置MOS Bvdss(V) 輸出功率范圍(W) S7302 SOP8 Low Side DCM/QR 3V~6V N <100K 18mohm 40V <12W BP6216...
查看全文產品型號 封裝 工作模式 VDD范圍 待機功耗 最大工作頻率 能效標準 內置MOS Rdson(Ω) 內置MOS Bvdss(V) 輸出功率范圍(W) BP8705D SOP8 DCM/CCM 8V~35V <75mW <65K 六級能效 1.8 650 <18W BP...
查看全文產品型號 封裝 工作模式 VDD范圍 待機功耗 最高工作頻率 能效標準 內置MOS Rdson(Ω) 內置MOS Bvdss(V) 輸出功率范圍(W) S7132B SOP7 DCM 5V~22V <75mW <75K 六級能效 0.8A BJT 850V <5W S...
查看全文產品型號 封裝 應用拓撲 輸入電壓 (V) 輸出功率 (W) MOSFET BV (V) 開關頻率 (kHz) 輸入過壓保護 待機功耗 (mW) 其它 BPA8604D SOP7 Flyback-SSR 85~265 6 700 132 無 30 AC過零檢測 BPA8616D SOP7 Flybac...
查看全文AC/DC非隔離: 產品型號 封裝 應用拓撲 輸入電壓(V) 輸出電壓(V) 輸出電流(mA) MOSFET?BV(V) 續流二極管 VCC電容 待機功耗(mW) BPA8504D SOP7 BUCK/BUCK-BOOST 85~265 連續可調 200 650 外置 需要 100 BPA...
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